整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常整流二极管包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种整流二极管的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。

        目前使用的大部分灯具是白炽钨丝灯或者采取气体放电，而半导体发光整流二极管（LED）的发光原理则与大部分灯迥然不同。发光整流二极管自发性（Spontaneous）的发光是由于电子与空穴的复合而产生的。一般的半导体发光整流二极管，多以Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为材料。Ⅲ- Ⅴ及Ⅱ-Ⅵ族元素的带隙（Bandgap）与晶格常数（Lattice Constant）的关系。这些材料的发光范围由红光到紫外线，目前红光的材料主要有AlGaInP，而蓝绿光及紫外线的主要材料则有 AlGaInN。整流二极管虽然Ⅱ-Ⅵ族材料也可以得到红光和绿光，但是这族材料极为不稳定，所以目前使用的发光材料大部分是Ⅲ-Ⅴ族。